Electrónica física y modelos de circuitos de transistores

Electrónica física y modelos de circuitos de transistores

  • Author: Fernández Ferrer, Julián; Plana Abadia, Roberto
  • Publisher: Editorial Reverte
  • Serie: Electrónica de los semiconductores
  • ISBN: 9788429134421
  • eISBN Pdf: 9788429190304
  • Place of publication:  Barcelona , Spain
  • Year of digital publication: 2012
  • Month: January
  • Pages: 286
  • Language: Spanish

El grupo conocido por Semiconductor Electronics Education Committee (SEEC). Está compuesto por universitarios e industriales unidos por facultativos del Electrical Engineering Department del Massachusetts Institute of Technology, actuando como presidente el profesor C. L. Searle y como director técnico el profesor R. B. Adler. El Comité emprendió la producción de un curso de Electrónica de semiconductores con varias metas, destinado principalmente a ser utilizado en las Universidades en un tercer o cuarto año.

  • PROPÓSITO
  • PRÓLOGO
  • ÍNDICE ANALÍTICO
  • LISTA DE SÍMBOLOS
  • 1. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE UNIÓN
    • 1.0 Introducción
    • 1.1 Diodos de unión
    • 1.2 Transistores de unión
  • 2. FUNCIONAMIENTO FÍSICO DE LOS DIODOS DE UNIÓN pn
    • 2.0 El diodo de unión pn abrupta
    • 2.1 Unión pn en equilibrio
    • 2.2 Efecto de una tensión de polarización sobre la unión pn
    • 2.3 Análisis de la capa de carga espacial
    • 2.4 Uniones pn graduales
    • PROBLEMAS
  • 3. COMPORTAMIENTO EN C.C. DE LOS DIODOS DE UNIÓN pn
    • 3.0 El diodo de unión pn idealizado
    • 3.1 Distribución y circulación de las cargas en el diodo idealizado
    • 3.2 Distribución y circulación de los portadores minoritarios
    • 3.3 Ecuación del diodo de unión pn idealizado
    • 3.4 Distribuciones y corrientes de los portadores mayoritarios
    • PROBLEMAS
  • 4. OTROS EFECTOS EN LOS DIODOS DE UNIÓN pn
    • 4.0 Limitaciones del modelo idealizado
    • 4.1 Caídas de tensión en las regiones neutras
    • 4.2 Generación y recombinación de portadores en la capa de carga espacial
    • 4.3 Divergencias respecto a la corriente inversa de saturación
    • 4.4 Disrupción en la unión
    • 4.5 Contactos óhmicos
    • 4.6 Recombinación superficial en los diodos de base delgada
    • PROBLEMAS
  • 5. COMPORTAMIENTO DINÁMICO DE LOS DIODOS DE UNIÓN pn
    • 5.0 Efectos dinámicos en los diodos
    • 5.1 Dinámica de los portadores minoritarios en exceso
    • 5.2 Transitorios de conmutación del diodo de unión
    • 5.3 Comportamiento del diodo de unión con señales sinusoidales de poca amplitud
    • 5.4 Cambios dinámicos en la carga alnacenada en la capa de carga espacial
    • PROBLEMAS
  • 6. MODELOS CON CONSTANTES LOCALIZADAS PARA LOS DIODOS DE UNIÓN
    • 6.0 Introducción
    • 6.1 Modelo con constantes localizadas para un diodo de unión
    • 6.2 Empleo del modelo con constantes localizadas
    • PROBLEMAS
  • 7. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES
    • 7.0 Introducción
    • 7.1 Funcionamiento del transistor en el modo activo
    • 7.2 El transistor como amplificador
    • 7.3 Mod.elos de circuito activados por corriente
    • 7.4 Modelo dinámico de circuito para señales de poca amplitud
    • PROBLEMAS
  • 8. MODELOS DE TRANSISTOR PARA SEÑALES DE POCA AMPLITUD
    • 8.0 Introducción
    • 8.1 Tensión de señal en el colector y modulación de la anchura de la base
    • 8.2 Resistencia de base-señal continua de gran amplitud
    • 8.3 Efectos de la resistencia de base en las señales de poca amplitud
    • 8.4 Modelos para señales de poca amplitud que incluyen la capacidad de la carga espacial
    • PROBLEMAS
  • 9. MODELO DE EBERS-MOLL PARA LA CARACTERÍSTICA TENSIÓN-INTENSIDAD DE UN TRANSISTOR
    • 9.0 Funcionamiento no lineal del transistor
    • 9.1 Comportamiento interno en c.c. del transistor idealizado
    • 9.2 Características volt-ampere en c.c.
    • 9.3 Regiones de funcionamiento
    • 9.4 Efectos de una base gradual en el comportamiento con señales de gran amplitud
    • PROBLEMAS
  • 10. MODELOS DE TRANSISTOR PARA CONMUTACIONES DINÁMICAS
    • 10.0 Introducción
    • 10.1 Ideas básicas: Definición según la carga de las propiedades del dispositivo y regulación de la carga
    • 10.2 Modelo de transistor de dos localizaciones
    • 10.3 Condiciones de validez del modelo de dos localizaciones y de las ecuaciones de regulación de la carga
    • 10.4 Ejemplo de utilización del modelo con constantes localizadas para los cálculos en e l transitorio
    • 10.5 Representación del almacenamiento de carga en las capas de carga espacial
    • 10.6 Almacenamiento de carga en el colector y en las regiones lejanas de la base
    • PROBLEMAS
  • APÉNDICE A. ESTUDIO MÁS DETALLADO DE LA CAPA DE CARGA ESPACIAL DE UNA UNIÓN pn
    • A.0 Introducción
    • A.1 Capa de carga espacial en equilibrio
    • A.2 Cambios producidos por una tensión de polarización
  • APÉNDICE B. CAMPO ELÉCTRICO EN LAS REGIONES NEUTRAS DE UNA UNIÓN pn
    • B.1 Campo eléctrico
    • B.2 Carga espacial
  • ÍNDICE ALFABÉTICO

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